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888nm泵浦模塊增強摻釹DPSS激光器的性能
材料來源:lfwc           錄入時間:2021/6/7 10:46:31

文/Florian Lenhardt,Joerg Neukum

 

摻釹(Nd)晶體,例如Nd:YAG和Nd:YVO4,用于最早獲得商業(yè)成功的固態(tài)激光器。在過去很長一段時間內(nèi),這些激光器中的晶體增益介質(zhì)是由閃光燈泵浦的。因此,過去這些激光器的效率非常低,其中部分原因是閃光燈產(chǎn)生寬廣的連續(xù)波長,而Nd離子的吸收光譜則由尖銳的譜帶和譜線組成(見圖1)。結(jié)果,大多數(shù)泵浦光的能量都以熱量的形式被浪費掉了,因此需要對晶體進行水冷。之后,壽命較長且功率可擴展的激光二極管的成熟,推動了二極管泵浦固態(tài)(DPSS)激光器的革命性發(fā)展。在DPSS激光器中,發(fā)射808nm波長的激光二極管作為泵浦源,以匹配了Nd的強吸收峰。

圖1:Nd:YVO4的近紅外吸收光譜。多年來,激光器設(shè)計人員專門致力于泵浦808nm的強吸收峰。通常沿晶體的b軸泵浦,放大的單獨圖表示沿a軸和c軸的偏振光。

DPSS激光器(通常是調(diào)Q輸出)的可靠性和長壽命,已經(jīng)支持了從制造醫(yī)療設(shè)備到集成電路封裝的不斷增長的工業(yè)應用。這些應用已經(jīng)越來越依賴于近紅外基頻波長的二倍頻和三倍頻,以此來提供綠光和紫外輸出,目的是優(yōu)化微加工工藝。大多數(shù)DPSS激光器中都采用端泵方式。通過使用光纖耦合激光二極管,可以將激光二極管放置在遠離激光腔的地方,從而簡化了維護工作,并降低了激光頭中的熱管理。

DPSS的熱挑戰(zhàn)

然而,激光晶體本身產(chǎn)生的熱量,最終限制了端泵DPSS激光器在一些應用領(lǐng)域的發(fā)展,這些應用主要是需要更高功率和TEM00光束的應用(良好的光束質(zhì)量對于實現(xiàn)有效的二次諧波產(chǎn)生/SHG和三次諧波產(chǎn)生/THG至關(guān)重要)。例如,與激光二極管相比,以808nm泵浦的DPSS激光器效率低得令人驚訝。造成這種情況的一個重要原因是量子數(shù)虧損很大,即808nm泵浦光子與1064nm Nd輸出之間的能量差。從技術(shù)上講,808nm泵浦使Nd以四能級激光器運作,本身效率低。此外,增益晶體中產(chǎn)生的這種過多熱量,限制了能夠通過流動水傳導冷卻晶體表面的晶體尺寸。此外,熱累積會導致晶體中產(chǎn)生熱透鏡效應;而且,隨著激光功率的變化而改變其聚焦特性(見圖2)。這損害了輸出模式的質(zhì)量,導致較低的SHG/THG效率,并限制了這些激光器在某些切割、鉆孔和劃線應用中,可以實現(xiàn)的精度和邊緣質(zhì)量。

圖2:端面泵浦可以提供更好的模式質(zhì)量,但是由吸收光導致的熱透鏡效應,可能會成為獲得更好光束質(zhì)量的障礙。

產(chǎn)生的熱量也位于泵浦輸入面附近,由于泵浦光被強烈吸收,因此這也使得泵浦光滲透進入晶體的深度有限。通過從兩端泵浦晶體的方式,能夠在一定程度上減輕這種影響,不過這樣做的代價是增加了系統(tǒng)的復雜性。盡管如此,典型的DPSS激光器使用的晶體長度只有8mm或更短,并且輸出功率受到限制,只有在某種最佳功率水平下,其光束質(zhì)量才可以接受。在越來越多的應用中,這種性能會對加工吞吐量和材料厚度產(chǎn)生負面影響。

更低的量子虧損和三能級效率

市場對更高功率和高光束質(zhì)量的需求,已經(jīng)迫使激光器設(shè)計者重新考慮DPSS激光器的設(shè)計問題。目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)了這樣一種解決方案:即在880nm附近這個相對較弱的吸收峰處,泵浦Nd(見圖1)。具體來說,現(xiàn)在市場上能夠提供的激光二極管泵浦模塊,可以在三個“新”波長處泵浦Nd,即878.6nm、885nm和888nm。通過在封裝的激光二極管模塊中集成體布拉格光柵(VBG),可將波長鎖定在目標值,從而不需要再對激光二極管的溫度進行精確控制。所有這些長波長都比傳統(tǒng)的808nm泵浦波長具有諸多優(yōu)勢,尤其是888nm,還具有其他重要的與偏振相關(guān)的優(yōu)勢。

使用這些長波長的第一個優(yōu)點是,與808nm泵浦相比,能將量子虧損顯著減少50%以上。這個優(yōu)勢的直接結(jié)果是,由此而產(chǎn)生的多余熱量也減少了50%以上。此外,該DPSS激光器現(xiàn)在能作為準三能級激光器運行,這在本質(zhì)上要比808nm泵浦驅(qū)動的四能級系統(tǒng)更加高效。最為重要的是,更多的泵浦功率被轉(zhuǎn)換為DPSS輸出,因此需要管理的熱量浪費更少。

更低的吸收和更大的泵浦體積

使用三個“新”波長泵浦Nd的另一項重要的效率優(yōu)勢是:因為Nd的吸收峰在880nm處比808nm處低得多;降低的吸收強度使得泵浦光可以更深入地滲透到增益晶體中(見圖3)。這樣一來就增加了泵浦體積,即可吸收光的體積,因此,這也使得晶體中產(chǎn)生不必要熱量的體積減少了。

圖3:Nd:YVO4晶體吸收泵浦功率的深度取決于泵浦波長:用809nm泵浦短晶體,泵浦光的穿透深度較小(a);用880nm泵浦長晶體,泵浦光的穿透深度較大,幾乎穿透了整個晶體長度(b)。

從圖3中可以看出,使用880nm的長波長泵浦產(chǎn)生的熱量更少,并且該熱量散布在更大的體積上。因此,這種組合允許使用更長的晶體(例如30mm),這些晶體也可以安全地以高功率泵浦,并且其熱透鏡效應更低,這樣就能在更寬的輸出功率范圍內(nèi),提供更好的光束質(zhì)量。因此,新一代的調(diào)Q輸出DPSS激光器應運而生,特別是綠光和紫外光DPSS激光器,它們所提供的輸出功率,為更好地探討眾多微加工應用提供了更多可能。

888nm是最佳泵浦波長

出于多種原因,激光晶體通常沿其b軸泵浦。對于808nm和880nm的泵浦光,在a軸和c軸上產(chǎn)生的吸收效果非常不同,并且當泵浦光沿著c軸偏振時,吸收會強得多,如圖1所示。問題是光纖傳輸?shù)谋闷止馐亲匀环瞧竦摹R虼,如果將來自光纖的泵浦光直接聚焦到晶體中,則不能針對泵浦功率和目標DPSS激光器工作特性,來完全優(yōu)化晶體摻雜和晶體長度。

如果針對a軸吸收對晶體進行優(yōu)化,那么將有一半的光會穿透到晶體中很深的部位。相反,如果針對c軸吸收對晶體進行優(yōu)化,則會有一半的光將無法在晶體中穿透得足夠深。為了解決這個難題,通常使用偏振立方分束器將來自光纖的光分開。具有“錯誤”偏振的50%被傳輸?shù)皆鲆婢w的另一端,并使用波片將其偏振旋轉(zhuǎn)90°,以便所有泵浦功率以相同的強度被吸收。這種泵浦方案對由移動光纖引起的偏振變化非常敏感,這可能導致晶體中泵浦吸收程度的急劇變化,從而導致DPSS激光器的功率不穩(wěn)定。

但是,在888nm處,晶體對于沿a軸和c軸偏振的吸收非常相似,如圖1所示。此外,在888nm處,Nd的吸收光譜隨泵浦波長輕微變化。因此,泵浦光可以直接從光纖耦合到晶體中,而無需中繼光學元件和波片,也不需要兩端泵浦所需的重復聚焦和二向色光學元件。此外,888nm泵浦方案對光纖移動的敏感性大大降低,甚至可以忽略不計。目前,相干公司可提供888nm泵浦模塊。

在888nm處,吸收強度相對于微小波長變化的依賴性較弱,這具備另一項非常重要的好處:泵浦的主動波長鎖定(包括嚴格的溫度控制)對于穩(wěn)定的DPSS輸出不再至關(guān)重要。這樣一來,就簡化了激光器并降低了組件和組裝成本。但是,使用集成VBG的被動波長穩(wěn)定仍然是首選,因為這種方法可以將由于二極管驅(qū)動電流變化而引起的任何波長偏移減至最小,從而帶來更寬的性能范圍。最終結(jié)果是,DPSS激光器的功率與888nm下的二極管驅(qū)動電流成線性比例關(guān)系。對于需要調(diào)制或者由于任何原因必須改變功率的任何應用,這都是非常有價值的特性。

單發(fā)射器架構(gòu)

相干公司最近推出了稱為FACTOR的新型光纖耦合二極管模塊系列,其提供三種新的可選波長:878.6nm、885nm和888nm。這些優(yōu)點檢查的幾個技術(shù)方面因素如下。首先,F(xiàn)ACTOR模塊均基于單發(fā)射器形式。每個模塊都包含一系列單發(fā)射器,所有這些發(fā)射器都位于一塊公共基板上,并且全部對準以耦合到單個永久連接的輸出光纖中。為什么選用單發(fā)射器?如前所述,效率是長波長泵浦的一個主要優(yōu)勢,可提供更高的功率、更好的光束質(zhì)量、線性調(diào)制、更低的成本,以及更低的碳排放以實現(xiàn)更加綠色環(huán)保的制造。

使用散熱效果好的單發(fā)射器,可以非常有效地冷卻二極管。這樣,就允許二極管可以在接近其最大功率下工作,而不必擔心熱量積累會影響性能或縮短壽命。這種方案能最大程度地減少所需要的發(fā)射器總數(shù),從而降低DPSS制造商的組件成本。另外,單發(fā)射器的輸出也更容易耦合到光纖中。結(jié)合復雜的光纖耦合概念,這些新型FACTOR系列模塊將提供出色的耦合效率,從而進一步提高DPSS的效率。

制造基于單發(fā)射器架構(gòu)的光纖耦合泵浦模塊并非沒有挑戰(zhàn),但相干公司的垂直整合已經(jīng)為所有挑戰(zhàn)提供了解決方案。除了組裝和測試這些模塊外,相干公司還在內(nèi)部制造所有關(guān)鍵組件,從用于制造激光二極管的晶圓,到VBG濾光片、再到傳輸光纖等等。對這些組件的生產(chǎn)進行全面控制,可確保高性能和高可靠性,并延長使用壽命。

 


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