炬光科技推出兩款小型化高功率半導體激光器疊陣GS09和GA03,依托炬光科技的共晶鍵合、界面材料與表面工程、熱管理等核心技術,實現(xiàn)了集成技術的進步、設計效率的提高、熱管理能力的升級以及產品可靠性和壽命的提升。 GS09將芯片間距從前代產品的0.73mm縮小到0.43mm,顯著降低疊陣發(fā)光區(qū)寬度,同時疊陣中的芯片數(shù)量可拓展到10bar,實現(xiàn)最高1kW的峰值功率輸出。GA03在前代產品的基礎上將整體寬度從18.2mm大幅降低到7.45mm,并保持相同的單巴輸出功率約為200W,產品芯片數(shù)量可以橫向縱向拓展到3×10陣列(30bar),實現(xiàn)最高6kW的峰值輸出。 文章來源:炬光科技
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