卡迪夫大學(威爾士)的研究人員創(chuàng)造了納米激光器,每個納米激光器的占位面積僅為3×3μm,可以集成到絕緣體上的硅(SOI)光子電路中。激光器發(fā)射1290nm的光,通過硅中的2D光柵引入硅中。 “這是第一個展示光子帶邊激光器如何直接集成在圖案化的SOI平臺上的演示” Diana Huffaker教授說,目前她是卡迪夫大學物理與天文學院復合半導體研究所的科學主任。 這個基于銦鎵砷/磷化銦(InGaAs / InP)的室溫激光器以9 x 9陣列制造,其腔質(zhì)量Q因子為23,000,閾值為200μJcm-2。 “這項研究將對快速發(fā)展的光子學領(lǐng)域產(chǎn)生長期影響,特別是對推動大批量,高規(guī)格光學元件商品化,使其用于大眾通信市場和傳感應(yīng)用有深遠意義。”化合物半導體主管Wyn Meredith說。
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