卡迪夫大學（威爾士）的研究人員創(chuàng)造了納米激光器，每個納米激光器的占位面積僅為3×3μm，可以集成到絕緣體上的硅（SOI）光子電路中。激光器發(fā)射1290nm的光，通過硅中的2D光柵引入硅中。

“這是第一個展示光子帶邊激光器如何直接集成在圖案化的SOI平臺上的演示” Diana Huffaker教授說，目前她是卡迪夫大學物理與天文學院復合半導體研究所的科學主任。

這個基于銦鎵砷/磷化銦（InGaAs / InP）的室溫激光器以9 x 9陣列制造，其腔質(zhì)量Q因子為23,000，閾值為200μJcm^-2。

“這項研究將對快速發(fā)展的光子學領(lǐng)域產(chǎn)生長期影響，特別是對推動大批量，高規(guī)格光學元件商品化，使其用于大眾通信市場和傳感應(yīng)用有深遠意義。”化合物半導體主管Wyn Meredith說。