作為半導(dǎo)體激光器的核心，芯片一直是國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)的“痛點(diǎn)”。目前，我國(guó)大部分半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)商所使用的芯片，仍主要依靠從歐美日等西方國(guó)家進(jìn)口。近年來(lái)，憑借在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域深耕多年而積累的豐富經(jīng)驗(yàn)和堅(jiān)實(shí)技術(shù)基礎(chǔ)，華光光電在波長(zhǎng)808nm、光功率5W以下的低功率激光器市場(chǎng)，以卓越的性價(jià)比，占據(jù)了國(guó)內(nèi)的主要市場(chǎng)。

為進(jìn)一步提高半導(dǎo)體激光器的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，華光光電新推出了使用808nm 10W自產(chǎn)芯片的激光器件。本產(chǎn)品的性能和可靠性等指標(biāo)已通過(guò)了國(guó)內(nèi)專家組專家的鑒定和客戶端考評(píng)，主要指標(biāo)達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。目前，該產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于激光美容、激光打標(biāo)、安防監(jiān)控、泵浦源等領(lǐng)域,取得了良好的市場(chǎng)反應(yīng)。

使用808 10W自產(chǎn)芯片的激光器件的主要指標(biāo)如下：在連續(xù)電流測(cè)試下的輸出功率達(dá)10.5W@10A；電光轉(zhuǎn)換效率57.4%；斜率效率1.3W/A；波長(zhǎng)807.4nm。測(cè)試參數(shù)見(jiàn)圖1。

在頻率10Hz，脈寬200us的條件下，對(duì)器件進(jìn)行了COD的測(cè)試，最高在53.8W@50A仍未出現(xiàn)COD，達(dá)到了額定工作電流的5倍以上，如圖2所示。在額定電流1.2倍下老化1200小時(shí)，未見(jiàn)功率衰減，見(jiàn)圖3。

目前推出的單管激光器主要有C-mount、T-mount、Q-mount封裝等各種定制封裝形式，見(jiàn)圖4。