關于878.6nm的半導體激光器用于泵浦Nd:YVO4晶體的研究和測試近幾年已非常成熟，恩耐公司于2011年向市場推出878.6nm半導體激光器，得到了非常好的反應。目前北美和歐洲的知名固體激光器公司已大規(guī)模采用878.6nm作為標準泵浦源，用于泵浦固體激光器。與傳統(tǒng)的808nm泵浦相比，恩耐公司的878.6nm激光器具有如下特點：

    1. 量子效率高，無需TEC
    圖1.是Nd:YVO4的能級圖，其中A）是傳統(tǒng)的808nm能級躍遷圖，B）是878.6nm能級躍遷圖，C)是激光發(fā)射對應的能級躍遷圖。從圖中可以看出，原子可吸收878.6nm的光從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)4F3/2，直接從激發(fā)態(tài)產(chǎn)生激光。因此具有高的量子效率并能有效減少散熱。恩耐公司的這款878.6nm的半導體激光器在使用中無需TEC溫控，僅通過環(huán)境風冷即可。國外文獻報道的這款激光器的泵浦效率可達70%以上，而一般工業(yè)應用中可達50%。

    2. 波長鎖定，光譜寬度（FWHM）小于1nm
    Nd:YVO4晶體有兩個主要的吸收峰，808nm附近的吸收峰帶寬較寬，而878.6nm附近的吸收帶寬較窄。恩耐公司提供的878.6nm的半導體激光器帶光纖光柵，輸出光譜寬（FWHM）小于1nm，中心波長公差為+/-0.5nm，且鎖定波長在溫度變化+/-5度、電流變化+/-2A內(nèi)，波長的變化值小于0.1nm，保證較高的泵浦效率。

    3.電光效率>55%，光纖耦合效率>95%
    恩耐公司具有世界領先的芯片生長技術、封裝工藝和光纖耦合技術。878.6nm的激光器電光效率可達55%以上，400um光纖耦合輸出效率可達95%以上，輸出功率可達200W。下圖是恩耐公司典型的一款878.6nm/100W的半導體激光模塊的測試曲線。

    恩耐公司提供的878.6nm的激光模塊，功率范圍為20W-200W，光纖芯徑400um。更多詳情請點擊：www.nlight.net