高功率高亮度半導(dǎo)體激光芯片是激光產(chǎn)業(yè)鏈的基石與源頭，激光芯片的功率、亮度、可靠性作為核心指標(biāo)，直接影響激光系統(tǒng)的性能、體積與成本，是實(shí)現(xiàn)激光系統(tǒng)小型化、輕量化、智能化的前提和保證。長(zhǎng)光華芯致力于更高功率、更高亮度單管芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，日前單管芯片功率突破性的達(dá)到66W。

2023年1月，在photonics west 2023會(huì)議上， 我們首次報(bào)道了在亮度保持不變的條件下（芯片條寬230μm），芯片出光功率提升20%（功率從32W提升到40W），最大功率超過(guò)51W。該芯片的功率亮度性能是230μm條寬下高功率激光芯片已知報(bào)道的最高水平。

Photonics west 報(bào)告的

230μm 發(fā)光寬度芯片的功率曲線

長(zhǎng)光華芯為實(shí)現(xiàn)高亮度條件下芯片功率的持續(xù)提升而不斷探索。

2023年2月，基于在photonics west報(bào)道的芯片技術(shù)我司開(kāi)發(fā)了更高功率芯片寬條寬半導(dǎo)體激光芯片，長(zhǎng)光華芯在業(yè)內(nèi)首次推出最大功率超過(guò)66W的單管芯片（熱沉溫度為室溫），芯片條寬290μm，最大效率超過(guò)70%，工作效率超過(guò)63%，這是迄今已知報(bào)道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

290 μm 發(fā)光寬度芯片的功率效率曲線

不忘初心，砥礪前行。長(zhǎng)光華芯將繼續(xù)致力于半導(dǎo)體激光芯片的攻關(guān)和技術(shù)創(chuàng)新，始終保持芯片功率亮度處于業(yè)內(nèi)前沿水平，為中國(guó)激光芯，光耀美好生活而不懈奮斗！

長(zhǎng)光華芯單管芯片

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