1月26日，中科院半導體所發(fā)布王圩院士訃告。

中國共產(chǎn)黨優(yōu)秀黨員、中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體光電子學家王圩先生因病醫(yī)治無效，不幸于2023年1月26日18點11分在北京逝世，享年86歲。

據(jù)介紹，王圩院士是我國著名的半導體光電子學專家，1937年12月25日生于河北文安，1960年畢業(yè)于北京大學物理系半導體專業(yè)，同年到中國科學院半導體研究所工作至今。王圩院士為我國半導體學科建設(shè)、技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)做出了重要貢獻。先后獲得國家“六五”攻關(guān)獎、中國科學院科學技術(shù)進步一等獎、國家科學技術(shù)進步二等獎、中國材料研究學會科學技術(shù)一等獎等。發(fā)表學術(shù)論文百余篇。1997年當選中國科學院院士。

王圩院士是我國半導體激光器的開拓者，在半導體光電子領(lǐng)域辛勤耕耘、造詣頗深，并取得了一系列重要科研成果。

20世紀60年代率先在國內(nèi)研制成功無位錯硅單晶，為我國硅平面型晶體管和集成電路的發(fā)展做出了貢獻。

70年代率先在國內(nèi)研制成功單異質(zhì)結(jié)室溫脈沖大功率激光器和面發(fā)射高亮度發(fā)光管，并成功應(yīng)用于夜視和精密測距儀等關(guān)鍵技術(shù)上；參與建立了國內(nèi)首批Ⅲ-V族化合物液相外延方法，為國內(nèi)首次研制成功GaAs基短波長脈沖激光器奠定基礎(chǔ)。

80年代至90年代采用大過冷度技術(shù)和量子剪裁生長技術(shù)，研制出1.3微米/1.5微米激光器和應(yīng)變量子阱動態(tài)單模分布反饋激光器，為我國提供了用于研發(fā)第二、第三代長途大容量光纖通信急需的光源。

進入新世紀以來，王圩院士在半導體光電子材料和器件的前端研究領(lǐng)域，主持開展大應(yīng)變量子阱材料以及不同帶隙量子阱材料的單片集成等關(guān)鍵技術(shù)的研究，建立了可集成半導體激光器、電吸收調(diào)制器、光放大器、探測器以及耦合器等部件的集成技術(shù)平臺，為開展多個光學部件的單片集成技術(shù)奠定了基礎(chǔ)，成為我國開展InP基功能集成材料及器件研究、技術(shù)輻射和應(yīng)用的基地。

王圩院士甘為人梯、提攜后進，在教育戰(zhàn)線上辛勤耕耘60余年，傾注了大量心血和汗水，培養(yǎng)和造就了一大批優(yōu)秀科技人才，對我國光電子學事業(yè)的發(fā)展和光電子學領(lǐng)域人才的培養(yǎng)作出了重要貢獻。他嚴謹求實、奮斗不止的科學精神和愛國奉獻、淡泊名利的高尚品德，更是廣大科技工作者和師生學習的榜樣。

王圩院士的一生，是無私奉獻的一生，是光榮偉大的一生，他對國家和人民無限忠誠，將畢生精力奉獻給了我國科技與教育事業(yè)。他富有遠見卓識和開創(chuàng)精神，以國家的重大需求為目標，為我國的半導體事業(yè)作出重大貢獻。他嚴于律己，克已奉公，治學嚴謹，為人謙和。他的業(yè)績和品德，為中國科技事業(yè)樹立了一座不朽的豐碑，他崇高的科學精神和道德風范永遠值得我們學習和敬仰！

王圩院士的逝世不僅是半導體研究所的重大損失，也是我國科學界、教育界的重大損失。對王圩院士的逝世,我們表示深切的哀悼!

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