隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)晶圓的品質(zhì)要求越來(lái)越高，對(duì)晶圓的品質(zhì)控制更加嚴(yán)格。為滿足品質(zhì)管控、工藝提升需求，也便于在后續(xù)的制作、測(cè)試和封裝工藝過(guò)程中對(duì)晶圓進(jìn)行管理和追蹤，保證晶圓的穩(wěn)定可追溯性，可在晶圓或晶粒表面標(biāo)刻清晰的字符、一維碼或二維碼等特定標(biāo)識(shí)。通常標(biāo)識(shí)中包含晶圓制造商代碼、部分技術(shù)參數(shù)、單片晶圓序號(hào)等信息，相當(dāng)于產(chǎn)品的“身份證”。

為了達(dá)到時(shí)刻可追溯，標(biāo)記必須在工藝制程中能夠時(shí)刻被讀取，這對(duì)晶圓打標(biāo)機(jī)提出了更高的要求。

激光打標(biāo)采用高能量光束對(duì)工件進(jìn)行無(wú)接觸式照射，在快速完成標(biāo)刻指令的同時(shí)，可保證工件的原有精度，避免產(chǎn)生壓力損壞工件，同時(shí)具有環(huán)保、無(wú)耗材、精度高、效率高的優(yōu)點(diǎn)，因此更符合晶圓的高質(zhì)量打標(biāo)要求。晶圓激光打標(biāo)的加工原理與常見的激光打標(biāo)沒有本質(zhì)的區(qū)別，但對(duì)加工品質(zhì)以及工藝要求更加嚴(yán)格、也更加精細(xì)，主要體現(xiàn)在：

01  晶圓材料更廣

晶圓材料更廣，如Si、SiC、InP、GaSb、GaN、藍(lán)寶石、Glass、LT等，需要根據(jù)不同的材料采用不同種類的高性能激光器，以達(dá)到最佳的標(biāo)志效果；

02  晶圓DIE尺寸更小

晶圓DIE尺寸更小，所以標(biāo)記尺寸更小，需要更高的定位精度及標(biāo)記精度；

03  晶圓更薄更脆

晶圓更薄更脆，在傳片輸送過(guò)程保證不破片的難度更大；

04  晶圓表面的潔凈度要求更高

晶圓表面的潔凈度會(huì)影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率，晶圓軟標(biāo)記需要滿足百級(jí)甚至千級(jí)無(wú)塵車間等半導(dǎo)體制程要求。

大族半導(dǎo)體自主研發(fā)的晶圓激光打標(biāo)機(jī)可實(shí)現(xiàn)晶圓上的精密激光打標(biāo)要求，可針對(duì)不同材料的晶圓表面進(jìn)行打標(biāo)，根據(jù)產(chǎn)品材料差異采用不同類型的激光器，并配備高速掃描振鏡、Robot雙臂機(jī)械手、晶圓校準(zhǔn)器，達(dá)到速度快、精度高、效果好、性能穩(wěn)定的目的。根據(jù)用戶產(chǎn)品尺寸的需求，大族半導(dǎo)體可提供2英寸到12英寸的相應(yīng)機(jī)型。

半導(dǎo)體全自動(dòng)晶圓打標(biāo)機(jī)

01  加工能力

1、晶圓材料：Si、SiC、InP、GaSb、GaN、藍(lán)寶石、Glass、LT等材料；

2、晶圓多尺寸兼容：2-6寸、4-8寸、8-12寸；

3、打標(biāo)位置：正打、背打（含透膜打）、雙面；

4、晶圓載具：料盒、Loadport（支持FOUP、FOSB）；

5、字符類型（符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)）:

• 字母ABC等

• 數(shù)字123等

• 條形碼 BC-412 SEMI T1

• 二維碼QR\DM（可選）

• 字符包括點(diǎn)陣法（5x9單線密度 / 10x18雙線密度）

02  主要參數(shù)

03  加工效果

在當(dāng)下國(guó)內(nèi)先進(jìn)制造業(yè)加速轉(zhuǎn)型升級(jí)的大趨勢(shì)下，大族半導(dǎo)體始終以領(lǐng)先的技術(shù)和品質(zhì)優(yōu)勢(shì)，將自主創(chuàng)新作為企業(yè)可持續(xù)發(fā)展的根本，繼續(xù)保持奮進(jìn)態(tài)勢(shì)，深挖市場(chǎng)供給，擴(kuò)大服務(wù)范圍，以市場(chǎng)需求為出發(fā)點(diǎn)，為泛半導(dǎo)體行業(yè)提供源源不斷的系統(tǒng)加工和智能化車間解決方案，致力于增強(qiáng)我國(guó)裝備制造業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

（文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除）