最近，中國(guó)廣州暨南大學(xué)的段宣明教授和中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所的鄭美玲教授組成的研究小組，開(kāi)發(fā)了一種等離子體增強(qiáng)激光納米焊接技術(shù)，以提高使用飛秒激光直寫(xiě) (FsLDW) 制造的銀 (Ag) 納米線的導(dǎo)電性。這項(xiàng)技術(shù)可以提供一種高效、經(jīng)濟(jì)的方法來(lái)快速生產(chǎn)均勻、靈活和高導(dǎo)電性的大面積金屬納米電極和電容器。

近年來(lái)，金屬納米線電極已被廣泛應(yīng)用于新型光電探測(cè)器、柔性電路、太陽(yáng)能電池、觸摸板等�；�于多光子吸收誘導(dǎo)的光還原技術(shù)，飛秒激光直寫(xiě)技術(shù)被用來(lái)構(gòu)建二維和三維的亞微米分辨率的工程圖案中的Ag納米線。這項(xiàng)技術(shù)高分辨率、三維性和靈活性的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

然而，由飛秒激光直寫(xiě)技術(shù)構(gòu)建的銀納米線是由小的銀納米粒子組成的。Ag納米線之間有空隙或聚合物涂層，這會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電性變差。因此，為了提高直接寫(xiě)入的Ag納米線的導(dǎo)電性并降低其電阻，科學(xué)家認(rèn)為，有必要減少Ag納米線之間的間隙并增加接觸面，從而減少電極中導(dǎo)電電子的能量耗散。對(duì)于通過(guò)激光照射的Ag納米線電極，光熱效應(yīng)可以顯著增加相鄰Ag納米線的接觸面積，提高Ag納米線電極的導(dǎo)電性。

圖 (a) 等離子體增強(qiáng)激光納米焊接 (PLNS) 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)示意圖。(b) 銀納米線的掃描電子顯微鏡 (SEM) 圖像，插圖顯示銀納米線中銀納米粒子的尺寸分布。（ c ）等離子體增強(qiáng)電場(chǎng)作為平行和垂直于粒子間軸的光偏振方向的粒子間間隙的函數(shù)。（ d ）隨著激光照射時(shí)間增加的 PLNS 示意圖。(e) PLNS 過(guò)程中銀納米線形態(tài)變化的 SEM 圖像。由Opto-Electronic Advances提供。

科學(xué)家表示，該方案為實(shí)現(xiàn)大面積、高均勻度、圖案化的納米線電導(dǎo)率提升，提供了一種新穎、高效的解決方案。

該研究論文題為"Plasmon-enhanced nanosoldering of silver nanoparticles for high-conductive nanowires electrodes"，已發(fā)表在《光電進(jìn)展》期刊上。

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