2024年6月14日，第二屆“2024行家說三代半汽車&光儲(chǔ)充SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)”在上海虹橋新華聯(lián)索菲特大酒店隆重召開。大族半導(dǎo)體產(chǎn)品線總經(jīng)理巫禮杰先生作為特邀嘉賓，發(fā)表了題為“激光技術(shù)助力8inch SiC襯底降本增效”的專題演講。他憑借豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和獨(dú)到的見解，深入剖析和分享激光技術(shù)在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域中的前沿應(yīng)用。

巫總強(qiáng)調(diào)，在晶圓制備的切磨拋流程中，線切割技術(shù)長(zhǎng)久以來是傳統(tǒng)主流的切片技術(shù)，但面對(duì)碳化硅這種硬度極高的材料，傳統(tǒng)的多線切割技術(shù)在襯底加工中面臨重重困難，導(dǎo)致了材料耗損大、出片率低、效率低等諸多問題。隨著半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)晶圓需求的日益多元化，特別是在大尺寸8inch SiC襯底切片和超薄切片領(lǐng)域，傳統(tǒng)切片技術(shù)已無法滿足當(dāng)前的工藝要求。因此，新型切割技術(shù)的突破成為了推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的核心問題。在此背景下，大族半導(dǎo)體成功研發(fā)了QCB激光切片技術(shù)，并于2022年重磅推出了新型SiC晶錠激光切片裝備。該裝備在加工材料利用率、出片率、大尺寸切割以及超薄片切割等方面展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢(shì)，已成功應(yīng)用于8inch SiC襯底的量產(chǎn)，同時(shí)形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代激光切片關(guān)鍵技術(shù)及裝備，助力8inch SiC襯底降本增效。

SiC晶錠激光切片設(shè)備

型號(hào)：HSET-S-LS6200

01 應(yīng)用領(lǐng)域

大族半導(dǎo)體SiC晶錠激光切片裝備應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體SiC晶錠激光切片，SiC超薄晶圓激光切片等領(lǐng)域。

02 技術(shù)優(yōu)勢(shì)

大族半導(dǎo)體的SiC晶錠激光切片設(shè)備在激光切片技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)了顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

● 高動(dòng)態(tài)高功率飛秒激光器

● 超快激光時(shí)空整形同步聚焦調(diào)制技術(shù)

● 激光加工與材料摻雜實(shí)時(shí)同步調(diào)控技術(shù)

● 高效高質(zhì)低損激光切片剝離分片技術(shù)

● 加工面平整，材料耗損低，出片率高

● 加工效率快，良率高，8inch大尺寸加工

● 超薄晶圓加工，加工材料兼容性好

03 實(shí)例效果

大族半導(dǎo)體憑借領(lǐng)先的激光裝備技術(shù)和創(chuàng)新實(shí)力，在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。除了QCB激光切片裝備外，巫總還特別提及的四款先進(jìn)激光裝備：SiC激光退火裝備、新型激光改質(zhì)劃片裝備、激光解鍵合裝備以及激光開槽裝備，均充分展現(xiàn)了大族半導(dǎo)體在高精度、低損傷、高效率、技術(shù)創(chuàng)新和成本效益方面的卓越優(yōu)勢(shì)。

未來，大族半導(dǎo)體將堅(jiān)定不移地走在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)的最前沿，致力于滿足半導(dǎo)體行業(yè)日益升級(jí)的需求，不斷加大在激光裝備技術(shù)領(lǐng)域的投入，積極推動(dòng)激光加工技術(shù)的突破和廣泛應(yīng)用，引領(lǐng)行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與發(fā)展。

文章來源：大族半導(dǎo)體

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